量子級聯介質與外腔激光器結構的結合，實現了近紅外量子級聯激光輸出，它具有窄帶、超寬帶單模調諧、高功率和優(yōu)異的光束質量等特點，非常適合于現場應用。 Eric Takeuchi, Kyle Thomas, Timothy Day 量子級聯（QC）材料在性能和制造水平方面所取得的非凡進步，已經促使人們開發(fā)這項技術在中紅外領域的廣泛應用。與此同時，在微型外腔激光器（ECL）的設計和制造方面，也涌現出了大量的創(chuàng)新行為。通過將QC增益介質集成到ECL結構中、以形成外腔量子級聯激光器（ECqcL），業(yè)界正在實現著這些技術的巨大價值。目前，外腔量子級聯激光器將有望更高的功率、更高的效率和更大的調諧范圍。 從字面上看，將QC和ECL組合成ECqcL似乎僅僅是二者的簡單結合，但事實遠非如此。需要著重指出的是，在外腔結構中，QC材料只是作為增益介質，在其周圍可以制造外腔。這種方法上的改變，獲得了QC技術所能提供的所有優(yōu)點。 QC技術的到來 以前，研究人員最初在實驗室里使用QC技術探測和顯示中紅外波長的光。然而在過去的幾年里，QC增益介質的外延生長技術的發(fā)展，使得這項技術從研究所和大學實驗室中走向了商業(yè)化。在很多情況下，晶圓制造商們都利用自身在III -V族半導體材料（例如砷化鎵和磷化銦）方面的生產經驗、工藝和能力來獲得性能優(yōu)良的高品質QC芯片。目前，量子級聯晶圓可以使用業(yè)界首選的金屬化學氣相沉積（MOCVD）技術來生長，與分子束外延（MBE）方法相比，MOCVD技術具有很多優(yōu)勢。[1]比如，更快的生長速度能夠快速發(fā)展批量生產過程，顯著提高產量并降低成本。 同樣，QC增益介質的性能也取得了長足進步。目前已經報道的單一QC激光器里的超寬帶增益范圍是5～8